Indexed by：
Abstract：
基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性,通过真空热压烧结制备了TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3(A-B-A)3层绝缘结构,A层w(TiO2)为0.5％到20％.测量了该绝缘结构的真空沿面闪络特性,发现闪络特性随w(TiO2)的增加而提高,当w(TiO2)为20％时,其脉冲初次闪络电压较同等厚度的Al2O3陶瓷提高了63％.研究发现:A层的介电常数可由w(TiO2)调控,介电常数的增大能有效降低真空-绝缘子-阴极三结合点处的电场强度；A层表面存在的TiO2颗粒可以减小二次电子发射系数并改善表面电荷分布；TiO2的电导率虽比Al2O3高,但其仍为绝缘体,即使TiO2含量较高时也不会形成贯穿的导电通道.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
西安交通大学学报
ISSN： 0253-987X
Year： 2012
Issue： 2
Page： 93-99
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 11
Affiliated Colleges：
